10G04,10G04場效應管參數(shù),N+P場效應管10G04,10G04代換
10G04場效應管,N+PMOS管10G04參數(shù)資料,10G04引腳圖,10G04中文資料規(guī)格書PDF
10G04場效應管,N+PMOS管10G04參數(shù)資料,10G04引腳圖,10G04中文資料規(guī)格書PDF
10G04/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù)：點擊查看
10G04場效應管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：3.4W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=10A,VGS=10V： Typ 17mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 22mΩ Max 27mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：7.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-8A,VGS=-10V： Typ 34mΩ Max 44mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 46mΩ Max 62mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
10G04場效應管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027
QQ：709211280