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  • MOS管輸入電阻很高,遇到靜電為什么就不行了
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-26 19:24:54
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    MOS管輸入電阻很高,遇到靜電為什么就不行了
    先來(lái)簡(jiǎn)單了解MOS管的輸入電阻和靜電擊穿
    輸入電阻
    指的是在柵源之間,當(dāng)柵極電壓變化時(shí),源極電流的變化率。MOS管的輸入電阻通常很高,具有很高的絕緣性能,這意味著只有極小的漏電流通過(guò)柵極。不過(guò)這種高電阻可以減小控制電路的功耗,讓它可以作為信號(hào)放大器的輸入級(jí)以及開(kāi)關(guān)使用。
    靜電擊穿
    由于靜電的積累導(dǎo)致電壓超過(guò)了原本MOS的絕緣能力,導(dǎo)致電流突然增大的現(xiàn)象。
    一般靜電擊穿有兩種:
    一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;
    二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。
    那么,回到問(wèn)題本身,為什么MOS管的輸入電阻很高,但是一遇到靜電就不行了?
    MOS管的輸入電阻很高,某種程度上也意味著它對(duì)輸入信號(hào)的電流是非常敏感的。
    我們知道MOS管是一個(gè)ESD敏感器件,由于本身的高輸入電阻再加上柵-源極間的電容非常小,導(dǎo)致它極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,當(dāng)靜電或外界電磁場(chǎng)作用于MOS管時(shí),就會(huì)在極間電容上形成電荷,導(dǎo)致極間電容的電壓升高。
    由于輸入電阻很高,這些電荷無(wú)法通過(guò)輸入端得到很好地泄漏,于是電壓在極間電容上積累,可能會(huì)引起靜電擊穿甚至有損壞MOS管的風(fēng)險(xiǎn)。
    上面我們有提到一個(gè)點(diǎn),也就是MOS管的工作環(huán)境,在靜電場(chǎng)較強(qiáng)的環(huán)境中,空氣中的離子和電荷會(huì)較多,從而增大了增加靜電的積累和放電的可能性,也就進(jìn)一步增加了MOS管受到靜電損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
    為了保護(hù)MOS管免受靜電損壞,可以采取以下措施:
    1.MOS管的柵極接地:柵極接到一個(gè)固定的電位,避免其懸空;
    2.并聯(lián)電阻:并聯(lián)一個(gè)電阻在Vgs之間,起到一個(gè)放電電阻,釋放電荷的作用;
    3. 放置穩(wěn)壓二極管:在Vgs之間放置穩(wěn)壓二極管,受外部靜電或或引起高壓損壞的可能性。
    此外,器件本身的性能也是十分重要的。 靜電放電產(chǎn)生的短時(shí)大電流,其脈沖時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時(shí)間常數(shù)。因此,當(dāng)這樣的電流通過(guò)面積較小的pn結(jié)或者肖特基結(jié)時(shí),就會(huì)瞬間產(chǎn)生高功率密度,導(dǎo)致局部過(guò)熱,甚至可能局部結(jié)溫升高超過(guò)材料的原本的溫度,導(dǎo)致結(jié)區(qū)局部或多處熔化,引發(fā)pn結(jié)短路,隨后器件完全失效。
    這種失效的發(fā)生與否,主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度,功率密度越小,器件越不容易受損。因此,選擇功率密度小和防靜電效果比較好的優(yōu)質(zhì)MOS管器件更有利于防止擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
    MOS管 靜電
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