上篇文章分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接電路，本文則對 VCC 端串入 PMOS 管的防反接電路進行分析。相比于以往的防反接電路，MOS 管類型的防反接保護電路，具有低功耗和壓降小的優(yōu)點。
原理圖
原理分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，只不過需要注意 PMOS 管 VGS<0 時，MOS 管開啟。
器件分析
分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，這里 R2 取 1K。
需要注意：
（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內(nèi)阻比 NMOS 管要更小。一般來說，導通內(nèi)阻越小，其 Gate 端的結(jié)電容就越大，所以 PMOS 管的開關速度就會越慢，因此，要綜合考慮。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280