3.場效應管的分類

場效應管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為普遍的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬—氧化物—半導體場效應管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場效應管，以及最近剛問世的，πMOS場效應管等。按溝道半導體資料的不同，結(jié)型和絕緣柵型場效應管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結(jié)型場效應管均為耗盡型，MOS柵型場效應管既有耗盡型的，也有加強型的。場效應晶體管可分為結(jié)型場效應晶體管和Mos場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型，P溝耗盡型和加強型四大類。

4．主要參數(shù)

1)直流參數(shù)

開啟電壓UT：是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。

夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。

飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場效應管在UGS=o時的漏極電流。

輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。 

2)交流參數(shù)  低頻跨導（互導）gm：反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能，且與工作點有關(guān)，是轉(zhuǎn)移特性曲線上過Q點切線的斜率。

3)極限參數(shù)  最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發(fā)作雪崩擊穿時的UDs（漏源電壓）。  最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結(jié)的反向擊穿電壓。  最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似，當功率超越PDM時，場效應管可能燒壞。

場效應管的命名辦法

第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結(jié)型場效應管，為0代表絕緣柵場效應管；

第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場效應晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場效應管，xx是以數(shù)字代表型號的序號，#是用字母代表同一型號中的不同規(guī)格，如CS14A、CS45G等。
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